Dual P-Channel PowerTrenchÒ MOSFET
Features
· –5 A, –20 V, RDS(ON) = 75 mW @ VGS = –4.5 V
RDS(ON) = 105 mW @ VGS = –3.0 V
RDS(ON) = 115 mW @ VGS = –2.7 V
· Extended VGSS range (±12V) for battery applications
· Low gate charge
· High performance trench technology for extremely
low RDS(ON)
· High power and current handling capability
데이터시트 보기
* 본 제품은 경우에 따라 호환되는 타사 제품으로 변경될 수 있음을 알려 드립니다.
주문시 참고 하세요~~
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